岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ)
- 会議発表等
- Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
Yao Kailun; Kato Fumiki; Tanaka So; Harada Shinsuke; Yano...
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-5-22--2022-05-25 - Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harada S...
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22--2022-05-25 - Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanaka S...
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22--2022-05-25 - Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement
Cui Xiaoran; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26 - パワーデバイスの最新動向
岩室 憲幸
Advanced Metallization Conference 2021, Asia Session (ADMETA plus 2021), 30回記念講演/2021-10-13 - Siパワー半導体の最新技術ど技術課題
岩室 憲幸
公）精密工学会 プラナリゼーション CMP とその応用技術専門委員会,第193回研究会/2021-10-08 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析
森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室 憲幸
第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26 - 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価
坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室 憲幸
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会/2021-12-09--2021-12-10 - モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討
西城智哉; 岩室 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会/2021-12-09--2021-12-10 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析
森海斗; 亀和田亮; 岩室 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会/2021-12-09--2021-12-10 - TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析
髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和4年電気学会全国大会/2022-03-21--2022-03-23 - Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis
姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本 宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10 - 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本 宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10 - Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs
Gyozen Sai; Dai Okamoto; Noriyuki Iwamuro; 矢野 裕司
第67回応用物理学会春季学術講演会/2020-03-12--2020-03-15 - On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
岡本大; 染谷満; 坂田大輝; 張旭芳; 松谷優汰; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; 矢野 裕司; 岩室憲幸
第67回応用物理学会春季学術講演会/2020-03-12--2020-03-15 - 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価
坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 矢野 裕司; 岩室憲幸
先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10 - Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-5-30--2021-6-3 - Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis
Yao Kailun; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt
饗場 塁士; 松井ケビン; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2020)/2020-09-13--2020-09-18 - Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress
大川 雅貴; 金森大河; 饗場 塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2020)/2020-09-13--2020-09-18 - Experimental Demonstration of Superior Vf-Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length
金森大河; 饗場 塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
PCIM asia 2020/2020-11-16--2020-11-18 - Influence of Interface Traps on the Shape of Split C-V Curves of 4H-SiC MOSFETs at Inversion
Cui Xiaoran; Iwamuro Noriyuki; 矢野裕司
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)/2020-9-27--2020-9-30 - さらに表示...
- Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs