| 界面バリア制御電子スピン共鳴法による微小領域プロセス誘起欠陥の評価 | 1987 -- 1988 | | 日本学術振興会/基盤研究(C) | 1,400,000円 |
| 半導体結晶欠陥の物性 | 1985 -- 1986 | | 日本学術振興会/その他 | 150,000円 |
| 半導体結晶欠陥の物性 | 1985 -- 1986 | | 日本学術振興会/その他 | 350,000円 |
| 半導体の極微小領域におけるビーム・プロセス誘起欠陥の新検出法 | 1984 -- 1984 | | 日本学術振興会/奨励研究 | 1,000,000円 |
| レーザーアニール時に於ける半導体講師温度の時間分解測定とその応用 | 1983 -- 1983 | | 日本学術振興会/基盤研究(C) | 1,500,000円 |
| III-V族半導体におけるプロセス誘起欠陥のＥＳＲ法による新評価方法 | 1982 -- (現在) | | 日本学術振興会/奨励研究 | 800,000円 |
| ビームプロセス技術に関する総合的研究 | 1981 -- (現在) | | 日本学術振興会/その他 | 300,000円 |
| 極短パルス・レーザー・アニールによる非晶質ー結晶遷移の動的挙動 | 1980 -- (現在) | | 日本学術振興会/奨励研究 | 860,000円 |
| イオン注入半導体のレーザ・アニール ー非晶質・結晶遷移過程の動的挙動に関する測定ー | 1979 -- (現在) | | 日本学術振興会/奨励研究 | 970,000円 |