梅田 享英(ウメダ タカヒデ)
- 一般講演
- 電子スピン共鳴分光と第一原理計算による4H-SiC中の格子間炭素欠陥の同定
梅田享英; 磯谷順一; 森下憲雄; 大島武; 伊藤久義; A. Gali
第69回応用物理学学術講演会/2008-09-02 - 4H-SiC MOSFET界面の電流検出電子スピン共鳴分光（EDMR）評価
梅田享英; 江嵜加奈; 磯谷順一; 小杉亮治; 福田 憲司; 森下憲雄; 大島武
第70回応用物理学会学術講演会/2009-09-11 - シリコン中のフッ素-空孔欠陥の電子スピン共鳴観察
梅田享英; 磯谷順一; 大島武; 小野田忍; 森下憲雄
第57回応用物理学関係連合講演会/2010-03-20 - フッ素注入による欠陥制御を行ったDRAMセルの電子スピン共鳴分光評価
大崎純一; 梅田享英; 小此木堅祐; 大湯静憲
第68回応用物理学会学術講演会/2007-09-02 - Roles of nitrogen in SiC-SiO2 interface system studied by EDMR/ESR and other spectroscopic techniques
T. Umeda; R. Kosugi; Y. Sakuma; Y. Satoh; M. Okamoto; S. ...
2012 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting/2012-04-10 - Electrically detected magnetic resonance (EDMR) study of SiC-SiO2 interfaces
T. Umeda; R. Kosugi; K. Fukuda; N. Morishita; T. Ohshima
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2011/2011-09-15 - ESR/EDMR測定と界面構造解析
梅田享英
第40回薄膜・表面物理基礎講座（2011年）「ナノ材料研究者のための表面・界面の評価技術の基礎と動向」/2011-11-10 - EDMR分光法によるシリコンMOSFET内部の結晶欠陥観察～トランジスタの中で欠陥は何をしているのか？
梅田享英
応用物理学会シリコンテクノロジー第146回研究集会/2012-03-09 - SiC MOSFET界面での水素・窒素の役割と、炭素由来の界面欠陥：電流検出ESRからの知見
梅田享英; 小杉亮治; 福田憲司; 大島武; 森下憲雄; 江嵜加奈; 磯谷順一
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第19回講演会/2010-10-22
- 電子スピン共鳴分光と第一原理計算による4H-SiC中の格子間炭素欠陥の同定