矢野 裕司(ヤノ ヒロシ)
- 所属
- 数理物質系
- 職名
- 准教授
- ORCID
- 0000-0001-7241-7014
- 研究分野
電子・電気材料工学 - 研究キーワード
SiC, MOS界面, MOSFET, パワーデバイス - 研究課題
SiC横型超接合パワーMOSFETによるワンチップ相補型電力変換器の開発 2022 -- (現在) 矢野 裕司 日本学術振興会/基盤研究(B) 低損失p型SiC超接合パワーMOSFETの基盤技術開発 2016-04 -- 2020-03 矢野 裕司 日本学術振興会/科学研究費補助金 基盤研究(B) 16,120,000円 異種原子導入によるSiC/絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新 2011-04 -- 2014-03 矢野 裕司 日本学術振興会/科学研究費補助金 若手研究(B) 4,420,000円 - 職歴
2013-12 -- (現在) 筑波大学数理物質系 物理工学域准教授 2013-12 -- 2016-03 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科客員准教授 2007-04 -- 2013-11 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科助教 2001-04 -- 2007-03 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科助手 - 取得学位
2001-03 博士(工学) 京都大学 - 所属学協会
2011-01 -- (現在) IEEE 1998-03 -- (現在) 応用物理学会 - 論文
- Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress
髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs/pp.250-253, 2023-05 - The effect of biaxial strain on the phonon-limited mobility in 4H-SiC MOSFETs
Fu Wei; Yano Hiroshi; Sakurai Takeaki; Ueda Akiko
APPLIED PHYSICS EXPRESS/16(8), 2023-08-01 - Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.701-702, 2022-09-26 - Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.703-704, 2022-09-26 - Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanaka S...
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.109-112, 2022-05-22 - Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harada S...
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116, 2022-05-22 - Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis
柏佳介; 姚 凱倫; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116/pp.113-116, 2022-05-22 - Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.701-702, 2022-09-26 - Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.703-704, 2022-09-26 - AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第83回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集/p.12-122, 2022-09-20 - 3レベルチャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布の検討
秋葉淳宏; 矢野 裕司
第83回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集/p.12-121, 2022-09-20 - SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み
矢野 裕司
結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会資料/pp.22-28, 2022-10-21 - モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集/pp.91-92, 2022-12-20 - バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集/pp.75-75, 2022-12-20 - 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価:酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係
秋葉淳宏; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集/pp.73-74, 2022-12-20 - チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価
秋葉淳宏; 矢野 裕司
第70回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.12-095, 2023-03-15 - Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs
柏佳介; 髙橋光希; 北村雄大; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(SC1073)/pp.SC2073-1-SC1073-10, 2023-02 - Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection
松井ケビン; 俵 武志; 原田 信介; 田中聡; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING/18(2)/pp.278-285, 2022-10 - Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs
北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 原田 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(SC1007), 2022-12 - Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harada S...
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116, 2022-05-22 - Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanaka S...
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.109-112, 2022-05-22 - 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討
秋葉淳宏; 矢野 裕司
第69回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.100000000-150, 2022-03-22 - Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement
Cui Xiaoran; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
第69回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.100000000-138, 2022-03-22 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析
森海斗; 亀和田亮; 岩室 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会 予稿集/pp.61-62, 2021-12-09 - TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析
髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和4年電気学会全国大会 予稿集/pp.4-5, 2022-03-21 - さらに表示...
- Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress
- 著書
- SiC半導体
矢野 裕司
次世代パワー半導体の開発動向と応用展開/シーエムシー出版/pp.22-30, 2021-08 - Making a debut: the p-type SiC MOSFET
An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
Compound Semiconductor/Angel Business Communications publication/pp.47-50, 2017-06
- SiC半導体
- 会議発表等
- Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
凱倫 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22 - Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 信介 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22 - Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis
柏佳介; 姚 凱倫; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22 - AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第83回応用物理学会秋季学術講演会/2022-09-20--2022-09-23 - 3レベルチャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布の検討
秋葉淳宏; 矢野 裕司
第83回応用物理学会秋季学術講演会/2022-09-20--2022-09-23 - SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み
矢野 裕司
結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会/2022-10-21 - モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21 - バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21 - 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価:酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係
秋葉淳宏; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21 - チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価
秋葉淳宏; 矢野 裕司
第70回応用物理学会春季学術講演会/2023-03-15--2023-03-18 - Characterization of SiC MOS structures using p-channel devices
Yano Hiroshi
The 10th Asia-Pasific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2022)/2022-11-13--2022-11-18 - 1.2 kV 耐圧 SiC トレンチ MOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析
北村雄大; 原田 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; 岩室 憲幸
電気学会電子デバイス研究会/2023-03-27--2023-03-27 - SBD 内蔵 SiC トレンチ MOSFET におけるショットキー障壁高さが順方向サージ電流耐量に与える影響の解析
北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和5年電気学会全国大会/2023-03-15--2023-03-17 - SBD占有面積割合の異なる1.2kV SBD内蔵SiC-MOSFETのUIS耐量解析
柏佳介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和5年電気学会全国大会/2023-3-15--2023-3-17 - Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29 - Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29 - Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
Yao Kailun; Kato Fumiki; Tanaka So; Harada Shinsuke; Yano...
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-5-22--2022-05-25 - Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harada S...
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22--2022-05-25 - Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanaka S...
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22--2022-05-25 - 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討
秋葉淳宏; 矢野 裕司
第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26 - Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement
Cui Xiaoran; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析
森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室 憲幸
第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26 - 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価
坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室 憲幸
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会/2021-12-09--2021-12-10 - さらに表示...
- Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
- 知的財産権
- •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室 憲幸; 矢野裕司
- •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
- 担当授業科目
2023-10 -- 2024-02 電子・物理工学特別研究IIIA 筑波大学 2023-10 -- 2024-02 電子・物理工学特別研究IA 筑波大学 2023-04 -- 2023-08 電子・物理工学特別研究IIB 筑波大学 2023-10 -- 2023-11 電磁気学1 筑波大学 2023-04 -- 2023-08 電子・物理工学特別研究IVB 筑波大学 2023-04 -- 2023-08 電子・物理工学特別研究VB 筑波大学 2023-10 -- 2024-02 電子・物理工学特別研究IVA 筑波大学 2023-04 -- 2023-08 電子・物理工学特別研究IA 筑波大学 2023-10 -- 2024-02 電子・物理工学特別研究IIIB 筑波大学 2023-04 -- 2023-08 電子・物理工学特別研究IIIB 筑波大学 さらに表示... - 学協会等委員
2023-04 -- (現在) SiCアライアンス 技術・普及WG/グループリーダー 2022-11 -- 2023-03 SiCアライアンス 技術・普及WG/委員 2022-10 -- (現在) SSDM 2023 プログラム委員会/JJAP特集号責任編集委員 2022-10 -- (現在) ICSCRM 2023 プログラム委員会/委員 2022-09 -- (現在) ICSCRM 国際運営委員会/委員 2022-07 -- 2023-03 EDTM 2023 プログラム委員会/委員 2022-01 -- (現在) SSDM 2022 プログラム委員会/JJAP特集号責任編集委員 2021-12 -- 2022-10 ICSCRM 2022 プログラム委員会/委員 2021-07 -- 2022-03 EDTM 2022 プログラム委員会/委員 2021-04 -- (現在) 応用物理学会 APEX/JJAP編集委員 さらに表示... - 学内管理運営業績
2021-04 -- 2022-03 国際交流支援部門企画・審査委員会 委員 2021-04 -- 2023-03 学生担当教員 2020-04 -- 2022-03 数理物質系共通施設委員会 委員 2020-04 -- 2022-03 パワエレ共用システム 責任者 2019-04 -- 2021-03 応用理工学類運営委員会 運営委員 2020-04 -- 2021-03 応用理工学類2年クラス担任 2019-04 -- 2020-03 応用理工学類1年クラス担任 2018-04 -- 2020-03 交通安全会 理事
(最終更新日: 2023-05-01)